您可能有過類似的慘痛經驗，一不小心按到電腦某些按鍵，或突然斷電，辛苦寫的檔案隨即跟著電腦畫面消失了!不過一旦改用磁性記憶體MRAM取代電腦主機的DRAM和SRAM後，即使電腦突然不來電，檔案也能”安然無虞”。
電源關掉後，資料怎麼還在呢?電子所奈米電子計畫主持人蔡銘進組長表示，關鍵在於電源切換後，MRAM的記憶單元仍能維持停電前或高或低的電阻狀態。原理是 利用電流產生磁場來改變MRAM的基本結構MTJ (Megnetic Tunneling Junction)元件中，上下兩個磁性材料磁區的相對方向。方向相同時MTJ屬於低阻態或是0的狀態，方向相反時是高阻態或是1的狀態。除非外加磁場改 變，這組態是不會隨時間改變的。也就是說即使電訊中斷，仍能維繫住0和1的訊號狀態，使作業系統安然無虞。蔡銘進用了自來水開關的比喻作說明(T)。
非揮發性記憶體的簡單概念，事實上像flash，目前已經廣泛使用在包括手機，數位相機，PDA等行動電子產品上，這些產品資訊儲存次數不會很，讀寫速度要 求也不高。但是遇到像電腦要邏輯運算，需要高速跟高儲存次數的記憶體，Flash的速度跟壽命就不敷使用了。蔡銘進說，MRAM生命週期可和DRAM， SRAM相比，讀寫次數高達10的12次方，或是1兆次以上，比起flash的10的6次方或是100萬次，有明顯的優勢，讀寫的速度也遠快於 Flash，所以會被稱為夢幻記憶體。
因為MRAM的優異性能，全球大廠IBM， Motorola， Sony， NEC， Toshiba， Samsung等從1995年開始，相繼投入人力開發。國內電子所一支研發團隊，四年前開始投入前瞻奈米電子相關計劃開發，起步相對落後。不過，電子所在 這項前瞻技術的結構專利上，包括高密度和低耗能表現上卻仍有勝出之處。去年在國際間會議上發表還獲得高度青睞。今年也獲得工研院內頒發研究成就獎的肯定， 上個月還從台積電資深副總蔣尚義博士手中，接下台積電10幾年來頒給電子所唯一的感謝狀。然而這批團隊，最要感謝的人，是當初肯定他們方向並一路指導他們 的前電子所顧問鄧端理博士。蔡銘進說，當大家還在觀望、不確定MRAM的技術風險時，自IBM退休的鄧端理挺身而出。聽聽蔡銘進怎麼說(T)。
對 業界來說，前瞻技術研發要能落實生產，才算開花結果。電子所目前已經和台積電合作三年多時間，運用台積前段的CMOS製程，以及電子所後段的MRAM 製程，開發嵌入式記憶體(Embeded Memory)技術，希望為已經達到經濟規模的CMOS製程，挺進更具宏效的SOC這條新路。回首來時路，前瞻未來，蔡銘進這位典型的科技研發主管，打從 心底希望，幫台灣的半導體未來擺上自己一份心力(T)。